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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
59
左右 -228% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
18.6
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
18
读取速度,GB/s
4,168.0
20.6
写入速度,GB/s
1,855.7
18.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3607
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
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