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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.9
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,168.0
20.8
写入速度,GB/s
1,855.7
16.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3901
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
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