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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.9
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,168.0
11.2
写入速度,GB/s
1,855.7
7.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2266
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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