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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,168.0
16.6
写入速度,GB/s
1,855.7
13.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3007
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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