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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,168.0
17.6
写入速度,GB/s
1,855.7
12.0
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2910
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
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