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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,168.0
15.3
写入速度,GB/s
1,855.7
11.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2981
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
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