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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
64
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
64
读取速度,GB/s
4,168.0
17.0
写入速度,GB/s
1,855.7
8.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2103
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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