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Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
总分
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
15.8
17.1
写入速度,GB/s
10.2
12.2
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2708
2898
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
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