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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
17.8
18.2
写入速度,GB/s
12.5
14.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3633
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
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