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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
33
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
20
读取速度,GB/s
17.8
19.4
写入速度,GB/s
12.5
14.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3509
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
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