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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
33
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
20
读取速度,GB/s
17.8
19.0
写入速度,GB/s
12.5
15.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2939
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
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