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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
17.8
13.2
写入速度,GB/s
12.5
10.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2814
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
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