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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
17.8
19.9
写入速度,GB/s
12.5
15.1
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3785
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
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