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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
17.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
33
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
31
读取速度,GB/s
17.8
17.6
写入速度,GB/s
12.5
12.7
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3084
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
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