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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
30
读取速度,GB/s
17.8
17.9
写入速度,GB/s
12.5
13.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3332
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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