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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
17.8
18.1
写入速度,GB/s
12.5
14.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
3563
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
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