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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
比较
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston 9905663-030.A00G 16GB
总分
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
总分
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.6
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
37
读取速度,GB/s
17.8
14.9
写入速度,GB/s
12.5
12.6
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3285
2885
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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