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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
差异
规格
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
10.5
12.8
写入速度,GB/s
7.1
10.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
2545
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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