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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
10.5
15.6
写入速度,GB/s
7.1
13.7
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3122
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
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