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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
10.5
17.9
写入速度,GB/s
7.1
15.1
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3443
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CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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