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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
30
读取速度,GB/s
10.5
13.3
写入速度,GB/s
7.1
10.0
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
2306
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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