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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
39
读取速度,GB/s
10.5
14.0
写入速度,GB/s
7.1
11.3
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
2810
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
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