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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

总分
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

总分
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Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 32
    左右 9% 更低的延时
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB 需要考虑的原因
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.8 left arrow 10.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.9 left arrow 7.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 8500
    左右 2.26 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    10.5 left arrow 10.8
  • 写入速度，GB/s
    7.1 left arrow 9.9
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1425 left arrow 2618

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Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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内存RAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9905630-052.A00G 16GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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