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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
14.4
14.4
写入速度,GB/s
9.0
8.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2422
2511
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB RAM的比较
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB RAM的比较
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
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Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
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