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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
40
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
32
读取速度,GB/s
13.6
17.5
写入速度,GB/s
8.3
12.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
3103
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
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