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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
48
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
48
读取速度,GB/s
13.6
10.4
写入速度,GB/s
8.3
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
1858
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
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