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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
13.6
11.7
写入速度,GB/s
8.3
6.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
1901
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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