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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
40
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
28
读取速度,GB/s
13.6
18.0
写入速度,GB/s
8.3
13.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
3188
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
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