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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
40
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
34
读取速度,GB/s
13.6
17.5
写入速度,GB/s
8.3
17.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
3697
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
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