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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
11.9
14.1
写入速度,GB/s
8.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2679
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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