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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
40
左右 -14% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
35
读取速度,GB/s
13.6
12.7
写入速度,GB/s
8.3
8.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
1899
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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