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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

总分
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

总分
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 62
    左右 35% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 7.0
    测试中的平均数值
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 13.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 62
  • 读取速度，GB/s
    13.6 left arrow 16.7
  • 写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 7.0
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2035 left arrow 1808

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM的比较

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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
内存RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
内存RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Kingston K000MD44U 4GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
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