RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
62
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
13.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
62
Velocità di lettura, GB/s
13.6
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
1808
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link