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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.9
16.6
写入速度,GB/s
9.0
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3279
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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