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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
44
读取速度,GB/s
12.9
14.6
写入速度,GB/s
9.0
9.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2386
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
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