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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
12.9
18.4
写入速度,GB/s
9.0
17.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3738
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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