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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.2
16.1
写入速度,GB/s
8.6
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2591
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
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Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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