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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

总分
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

总分
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 28
    左右 -22% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 12.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.9 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    12.9 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 12.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2112 left arrow 3227

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
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内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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内存RAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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AMD R748G2400U2S 8GB
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内存RAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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