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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
12.9
14.9
写入速度,GB/s
9.0
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2327
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
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A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
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