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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
16.1
14.7
写入速度,GB/s
10.1
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2488
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
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