RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
36
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
14.7
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2488
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link