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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
41
读取速度,GB/s
12.9
12.7
写入速度,GB/s
9.0
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2621
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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