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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
81
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
81
读取速度,GB/s
12.9
14.4
写入速度,GB/s
9.0
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
1824
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
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