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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905625-065.A00G 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
60
左右 -50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
2,168.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
40
读取速度,GB/s
4,595.2
13.9
写入速度,GB/s
2,168.2
9.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2560
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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