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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
12.9
15.0
写入速度,GB/s
9.0
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2247
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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