RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2247
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link