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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
48
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
48
读取速度,GB/s
12.9
10.9
写入速度,GB/s
9.0
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2496
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
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