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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.8
14.3
写入速度,GB/s
8.4
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2870
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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