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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.8
14.3
写入速度,GB/s
8.4
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2870
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
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Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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