RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.9
15.7
写入速度,GB/s
9.0
11.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2767
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link