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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
13.5
写入速度,GB/s
8.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2689
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
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Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
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